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型号 IPB180N03S4L-H0
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
IPB180N03S4L-H0 PDF
代理商 IPB180N03S4L-H0
标准包装 1,000
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 180A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 0.95 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.2V @ 200µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 300nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 23000pF @ 25V
功率 - 最大 250W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
供应商设备封装 PG-TO263-7-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPB180N03S4LH0ATMA1
SP000555050
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